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专利摘要

本公开涉及微机电可缩放直插型压阻力/压力传感器,其具有:半导体材料的传感器裸片,其具有在水平面内延伸的前表面和下表面,并且由具有沿垂直方向的厚度的横向于水平面的紧凑块体区域平面;压阻元件,集成在传感器裸片的块体区域中,位于其前表面处;以及帽状裸片,其耦合在传感器裸片上方,覆盖压阻元件,帽状裸片具有沿垂直方向彼此相对的相应前表面和底表面,底表面面向传感器裸片的前表面。
转换层布置在传感器裸片的前表面和帽状裸片的底表面之间,被图案化以限定沿着垂直方向横穿整个厚度的凹槽;压阻元件垂直对应于凹槽布置,并且转换层被设计为将施加到帽状裸片的前表面和/或传感器模的底表面的负载沿垂直方向转换成在凹槽处的平面应力分布,这在水平面上起作用。

专利状态

基础信息

专利号
CN201810154228.4
申请日
2018-02-22
公开日
2018-09-04
公开号
CN108489645A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

M·亚巴西加瓦蒂 D·卡尔塔比亚诺 A·皮科 A·A·波马里科 G·罗塞利 F·布拉格辛

申请人

意法半导体股份有限公司

申请人地址

意大利阿格拉布里安扎

专利摘要

本公开涉及微机电可缩放直插型压阻力/压力传感器,其具有:半导体材料的传感器裸片,其具有在水平面内延伸的前表面和下表面,并且由具有沿垂直方向的厚度的横向于水平面的紧凑块体区域平面;压阻元件,集成在传感器裸片的块体区域中,位于其前表面处;以及帽状裸片,其耦合在传感器裸片上方,覆盖压阻元件,帽状裸片具有沿垂直方向彼此相对的相应前表面和底表面,底表面面向传感器裸片的前表面。
转换层布置在传感器裸片的前表面和帽状裸片的底表面之间,被图案化以限定沿着垂直方向横穿整个厚度的凹槽;压阻元件垂直对应于凹槽布置,并且转换层被设计为将施加到帽状裸片的前表面和/或传感器模的底表面的负载沿垂直方向转换成在凹槽处的平面应力分布,这在水平面上起作用。

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