本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成钝化层，钝化层中形成有互连结构；对钝化层进行局部刻蚀至露出互连结构，以在钝化层中形成凹槽；采用灰化工艺去除部分局部刻蚀在凹槽底部和侧壁产生的聚合物，其中，向灰化工艺的反应室添加氢氟酸溶液和氧化性溶液的混合液；继续刻蚀凹槽底部的半导体衬底上剩余的钝化层，停止于半导体衬底表面；去除局部刻蚀以及继续刻蚀所产生的聚合物。
采用本发明的方法，氧化性溶液可提高聚合物的氧化效果，提高聚合物的去除效率，避免剥离缺陷，进而改善半导体器件的性能；氢氟酸溶液可去除在互连结构表面形成的自然氧化层，从而控制其在灰化工艺中出现的损失。

黄新元 张珏 姚笛

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明提供一种半导体器件的制造方法，所述方法包括：提供半导体衬底，在半导体衬底上形成钝化层，钝化层中形成有互连结构；对钝化层进行局部刻蚀至露出互连结构，以在钝化层中形成凹槽；采用灰化工艺去除部分局部刻蚀在凹槽底部和侧壁产生的聚合物，其中，向灰化工艺的反应室添加氢氟酸溶液和氧化性溶液的混合液；继续刻蚀凹槽底部的半导体衬底上剩余的钝化层，停止于半导体衬底表面；去除局部刻蚀以及继续刻蚀所产生的聚合物。
采用本发明的方法，氧化性溶液可提高聚合物的氧化效果，提高聚合物的去除效率，避免剥离缺陷，进而改善半导体器件的性能；氢氟酸溶液可去除在互连结构表面形成的自然氧化层，从而控制其在灰化工艺中出现的损失。