α型塞隆荧光体、发光构件和发光装置的制作方法

本发明涉及α型塞隆荧光体、发光构件和发光装置。

背景技术

目前为止，对α型塞隆荧光体进行了各种各样的开发。作为这种技术，例如已知有专利文献1所记载的技术。在专利文献1中记载了调整α型塞隆荧光体的组成成分的技术(专利文献1的权利要求1)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2003－124527号公报

技术实现要素：

然而，本发明人进行了研究，结果明确了在上述专利文献1所记载的α型塞隆荧光体中，在外量子效率方面有改善的余地。

近年来，对使用了α型塞隆荧光体的发光装置进行小型化的开发。随之，要求α型塞隆粒子的小粒径化。

然而，对α型塞隆粒子的粒径的研究目前还不能说是充分的。

本发明人着眼于粒径进行了研究，结果发现通过适当去除适度小粒径化了的α型塞隆粒子中包含的微粉，可以提高包含那样的α型塞隆粒子的α型塞隆荧光体的外量子效率。另外，通过使用对于波长为455nm的激发光的内量子效率为75％以上的α型塞隆荧光体，可以进一步提高外量子效率。

基于这样的见解，进一步进行了深入的研究，结果发现：在用激光衍射散射法测定的α型塞隆荧光体的体积频度粒度分布中将累积值为5％的粒径设为D5、将累积值为50％的粒径设为D50、将累积值为98％的粒径设为D98时，以((D98－D5)/D50)作为指标，可以对去除了微粉的α型塞隆粒子的性状稳定地进行评价，通过使用将该指标的((D98－D5)/D50)设为适当的数值范围内且内量子效率为规定值以上的α型塞隆荧光体，可以提高包含α型塞隆粒子的α型塞隆荧光体的外量子效率，完成了本发明。

根据本发明，提供一种α型塞隆荧光体，其包含α型塞隆粒子，

在利用激光衍射散射法测定的该α型塞隆荧光体的体积频度粒度分布中，将累积值为5％的粒径设为D5、将累积值为50％的粒径设为D50、将累积值为98％的粒径设为D98时，

((D98－D5)/D50)为1.00～8.00，

D50为10μm以下，并且

根据下述步骤测定的对于波长为455nm的激发光的内量子效率为75％以上。

(步骤)

(1)将该α型塞隆荧光体用作试样，以表面成为平滑的方式将该试样填充于凹型比色皿。在将该凹型比色皿安装于积分球的开口部后，从发光光源将规定波长的单色光导入到积分球内作为激发光。

在25℃下，对凹型比色皿内的试样照射激发光，利用分光光度计测定来自试样的光谱。由得到的光谱数据算出激发反射光光子数(Qref)和荧光光子数(Qem)。

(2)代替凹型比色皿，使用反射率为99％的标准反射板，除此之外，与上述(1)同样地操作，将标准反射板安装于积分球的开口部，对标准反射板照射激发光，测定波长455nm的激发光的光谱，由得到的光谱数据算出激发光光子数(Qex)。

基于下述式，求出上述内量子效率。

内量子效率＝(Qem/(Qex－Qref))×100

另外，根据本发明，提供一种发光构件，具备：

发光元件和将从上述发光元件照射的光进行转换而发光的波长转换体；

上述波长转换体具有上述α塞隆荧光体。

另外，根据本发明，提供一种具备上述发光构件的发光装置。

根据本发明，提供外量子效率优异的α型塞隆荧光体、使用它的发光构件和发光装置。

附图说明

图1是示意性地表示本实施方式的发光装置的结构的一个例子的截面图。

具体实施方式

以下，使用附图对本发明的实施方式进行说明。应予说明，在所有附图中，对同样的构成要素标注同样的符号，适当省略说明。另外，图是示意图，与实际的尺寸比率不一致。

对本实施方式的α型塞隆荧光体进行说明。

本实施方式的α型塞隆荧光体包含α型塞隆粒子，在利用激光衍射散射法测定的该α型塞隆荧光体的体积频度粒度分布中，将累积值为5％的粒径设为D5、将累积值为50％的粒径设为D50、将累积值为98％的粒径设为D98时，((D98－D5)/D50)为1.00～8.00，D50为10μm以下，根据下述步骤测定的对于波长为455nm的激发光的内量子效率满足75％以上。

(步骤)

在25℃下，对凹型比色皿内的试样照射激发光，利用分光光度计测定来自试样的光谱。由得到的光谱数据算出激发反射光光子数(Qref)和荧光光子数(Qem)。

基于下述式，求出上述内量子效率。

内量子效率＝(Qem/(Qex－Qref))×100

根据本发明人的见解，发现通过适当去除适度小粒径化了的α型塞隆粒子中包含的微粉，可以提高包含那样的α型塞隆粒子的α型塞隆荧光体的外量子效率。而且，明确了通过将((D98－D5)/D50)作为指标，可以对去除了微粉的α型塞隆粒子的性状稳定地进行评价，通过将作为该指标的((D98－D5)/D50)设为适当的数值范围内，可以提高包含α型塞隆粒子的α型塞隆荧光体的外量子效率。

详细的机理还不明确，但认为是：由于粒子的微细化处理等而产生的微粉的比表面积较大，反射变多，另外包含较多的晶体缺陷，因此通过去除这样的微粉，可以提高455nm的内量子效率和反射率，因此可以提高455nm的外量子效率。

((D98－D5)/D50)的上限为8.00以下，优选为7.70以下，更优选为7.30以下。由此，在包含适当去除了微粉的α型塞隆粒子的α型塞隆荧光体中，可以提高外量子效率。

另一方面，((D98－D5)/D50)的下限例如为1.00以上，优选为3.00以上，更优选为4.00以上。由此，在包含适度小粒子化了的α型塞隆粒子的α型塞隆荧光体中，可以减少700nm处的吸收率。

另外，通过将((D98－D5)/D50)设为上述数值范围内，可以提高455nm的荧光强度、光吸收率。

D50例如为1.0μm～10.0μm，优选为2.5μm～9.0μm，更优选为3.0μm～9.0μm。通过将D50设为上述上限值以下，可以实现包含适度小粒子化了的α型塞隆粒子的α型塞隆荧光体。通过将D50设为上述下限值以上，可以提高455nm的荧光强度。

本说明书中，只要不特别明示，“～”就表示包括上限值和下限值。

在利用激光衍射散射法测定的该α型塞隆荧光体的体积频度粒度分布中，将累积值为90％的粒径设为D90。

D90例如为5.5μm～35.0μm，优选为8.5μm～27.0μm，更优选为10.0μm～25.0μm。通过将D90设为上述上限值以下，可以实现包含适度小粒子化了的α型塞隆粒子的α型塞隆荧光体。通过将D90设为上述下限值以上，可以提高455nm的荧光强度。

应予说明，在利用激光衍射·散射法测定粉体的粒径的情况下，重要的是在测定前解开粉体彼此的凝集并使其充分分散于分散介质中，但是也有如果分散条件有差异则测定值产生差异的情况，因此本发明的α型塞隆荧光体的基于激光衍射·散射法而得的D5、D50、D90、D98、Dmax等测定值定义为如下的测定值：根据JIS R1622和R1629，将测定的荧光体0.5g投入到混合有0.05wt％六偏磷酸钠的离子交换水溶液100ml中，对其使用振荡频率19.5±1kHz、芯片尺寸20φ、振幅为31±5μm的超声波均化器并将芯片配置于溶液的中央部进行3分钟分散处理，使用该溶液而得的测定值。这里，19.5±1的表述表示18.5～20.5的范围，31±5表示26～36的范围。

另外，根据本发明人的见解，明确了通过适当去除适度小粒径化了的α型塞隆粒子中包含的微粉，可以提高对于波长为455nm的激发光的内量子效率。

在α型塞隆荧光体中，对于波长为455nm的激发光的内量子效率的下限为75％以上，优选为76％以上，更优选为77％以上。通过将455nm的内量子效率的下限设为上述下限值以上，可以使包含小粒径的α型塞隆粒子的α型塞隆荧光体的外量子效率提高。应予说明，455nm的内量子效率的上限不特别限定，但是例如为100％以下，也可以为99％以下。

根据本实施方式，通过使用((D98－D5)/D50)为规定范围内且455nm的内量子效率为规定值以上的α型塞隆荧光体，可以提高外量子效率，因此可以实现亮度优异的发光装置。另外，可以提供适用于小型化的发光装置的α型塞隆荧光体。

在α型塞隆荧光体中，对于波长700nm的激发光的光吸收率的上限例如为10％以下，优选为9％以下，更优选为7％以下，进一步优选为5％以下。通过将700nm的光吸收率的上限设为上述上限值以下，可以实现亮度优异的发光装置。应予说明，700nm的光吸收率的下限不特别限定，可以为0％以上。

700nm的光吸收率除了将激发光的波长从455nm变更成700nm并且激发光光子数(Qex)、激发反射光光子数(Qref)由695～710nm的波长范围的光谱算出之外，与上述步骤同样地操作，根据下述式求出。

光吸收率＝((Qex－Qref)/Qex)×100

在α型塞隆荧光体中，对于波长800nm的激发光的扩散反射率的下限例如为90％以上，优选为92％以上，更优选为93％以上。通过将800nm的扩散反射率的下限设为上述下限值以上，可以实现亮度优异的发光装置。应予说明，800nm的扩散反射率的上限不特别限定，可以为100％以下。

本实施方式的α型塞隆荧光体可以包含由下述通式(1)表示的含有Eu元素的α型塞隆。

(M)m(1－x)/p(Eu)mx/2(Si)12－(m+n)(Al)m+n(O)n(N)16－n…通式(1)

上述通式(1)中，M表示选自Li、Mg、Ca、Y和镧系元素(不包括La和Ce)中的1种以上的元素，p表示M元素的价数，0＜x＜0.5，1.5≤m≤4.0，0≤n≤2.0。n例如可以为2.0以下，可以为1.0以下，也可以为0.8以下。

α型塞隆的固溶组成是将α型氮化硅的晶胞(Si12N16)的m个Si－N键取代为Al－N键，将n个Si－N键取代为Al－O键，为了保持电中性，m/p个阳离子(M、Eu)侵入固溶于晶格内，如上述通式进行表示。特别是作为M，如果使用Ca，则α型塞隆在宽广的组成范围内稳定化，通过用成为发光中心的Eu取代其一部分，被从紫外到蓝色的宽广的波长区域的光激发，可以得到显示从黄色到橙色的可见发光的荧光体。

通常，对于α型塞隆荧光体，由于与上述α型塞隆不同的第二晶相、不可避免地存在的非晶相，所以不能通过组成分析等来严格规定固溶组成。作为α型塞隆的晶相，优选为α型塞隆单相，作为其他晶相，可以包括β型塞隆、氮化铝或其多型体、Ca2Si5N8、CaAlSiN3等。

作为α型塞隆荧光体的制造方法，有将由氮化硅、氮化铝和侵入固溶元素的化合物构成的混合粉末在高温的氮气氛中加热并反应的方法。

制造α型塞隆粒子的工序可以使用公知的方法，例如可以具有如下工序：煅烧原料混合粉末而得到煅烧物的煅烧工序、以及对煅烧工序后的煅烧物进一步进行压碎粉碎处理、分级处理、退火处理和酸处理等的后处理工序。另外，在后处理工序中，可以进一步进行球磨粉碎和/或倾析处理。

根据本发明人的见解，明确了在煅烧时在低温下进行煅烧，抑制粒子生长，基于球磨粉碎、倾析处理使微粉去除处理条件优化，从而可以适当去除小粒径化了的α型塞隆粒子中包含的微粉。

在本实施方式中，例如通过适当选择α型塞隆荧光体中包含的各成分的种类、配合量、α型塞隆荧光体的制备方法等，可以控制上述((D98－D5)/D50)、D5、D50、D90、D98、455nm的内量子效率、700nm的光吸收率和800nm的扩散反射率。其中，例如作为用于将上述((D98－D5)/D50)、D5、D50、D90、D98、455nm的内量子效率、700nm的光吸收率和800nm的扩散反射率设为所期望的数值范围的要素，可举出适当进行后处理工序、球磨粉碎、倾析处理或利用离心力的分级等。

(波长转换体)

本实施方式的波长转换体将从发光元件照射的光进行转换而发光，具有上述α型塞隆荧光体。波长转换体可以只由α型塞隆荧光体构成，也可以包含分散有α型塞隆荧光体的母材。作为母材，可以使用公知的母材，例如可以举出玻璃、树脂、无机材料等。

上述波长转换体的形状不特别限定，可以构成为板状，也可以构成为密封发光元件的一部分或发光面整体。

(发光装置)

对本实施方式的发光装置进行说明。

本实施方式的发光装置具备：包含发光光源(发光元件)和上述波长转换体的发光构件。

通过组合发光光源和波长转换体，可以发出具有高发光强度的光。

图1是示意性地表示本实施方式的发光装置的结构的一个例子的截面图。

图1的发光装置100例如具备：发光元件120、散热器130、壳体140、第一引线框150、第二引线框160、接合线170、接合线172和复合体40。

发光元件120是发出激发光的半导体元件。

作为发光元件120，例如可以使用LED芯片，上述LED芯片产生与从近紫外到蓝色光相当的300nm～500nm的波长的光。

作为发光元件120的具体例，可以使用第III族氮化物半导体发光元件。第III族氮化物半导体发光元件例如是由AlGaN、GaN、InAlGaN系材料等第III族氮化物半导体构成的具备n层、发光层和p层的元件。作为第III族氮化物半导体发光元件，可以使用发出蓝色光的蓝色LED。

设置于发光元件120的上表面侧的一个电极(未图示)通过金线等接合线170与第一引线框150的表面连接。另外，形成于发光元件120的上表面的另一个电极(未图示)通过金线等接合线172与第二引线框160的表面连接。

发光元件120贴装于散热器130上面。可以通过散热器130提高发光元件120的散热性。代替散热器130，可以使用封装用基板。

壳体140形成有孔径从底面向上方逐渐扩大的大致漏斗形状的凹部。发光元件120设置于上述凹部的底面。包围发光元件120的凹部的壁面起反射板的作用。

复合体40被填充到由壳体140形成壁面的上述凹部。

作为复合体40，可使用将从发光元件120发出的激发光的波长进行长波长化的波长转换体。复合体40的具体例可以使用在树脂等密封材料30中分散有包含α型塞隆荧光体的荧光体粒子1的波长转换体。

发光装置100发出由吸收发光元件120的发光并被激发的荧光体粒子1产生的光、或者与来自发光元件120的光的混合光。发光装置100可以通过发光元件120的光与由荧光体粒子1产生的光的混色而发出白色光。

应予说明，图1例示了表面贴装型的发光装置，但是发光装置不限定于表面贴装型，也可以是炮弹型、COB(板上芯片)型。

以上，对本发明的实施方式进行了描述，但这些是本发明的示例，可以采用除上述以外的各种构成。另外，本发明不限定于上述实施方式，可以实现本发明目的的范围内的变形、改进等包含于本发明。

实施例

以下，参照实施例对本发明详细进行说明，本发明不限定于这些实施例的记载。

＜α塞隆型荧光体的制作＞

(比较例1)

·混合工序

在保持为水量为1质量ppm以下、氧量为1质量ppm以下的氮气氛的手套箱中混合α型氮化硅粉末(Si3N4，SN－E10等级，宇部兴产株式会社制)62.8g、氮化钙粉末(Ca3N2，Materion公司制)13.4g、氮化铝粉末(AlN，E等级，Tokuyama Corporation制)22.7g、氧化铕粉末(Eu2O3，RU等级，信越化学工业株式会社制)1.1g，得到原料混合粉末。将该原料混合粉末100g填充于内部容积为0.4升的带盖的圆筒型氮化硼制容器(电化株式会社制，N－1等级)。

·煅烧工序

将该原料混合粉末连同容器一起在碳加热器的电炉中在大气压氮气氛中，在1800℃下进行16小时的加热处理。应予说明，原料混合粉末中包含的氮化钙在空气中容易水解，因此填充有原料混合粉末的氮化硼制容器从手套箱取出后迅速设置于电炉中，立即抽真空，防止氮化钙反应。对从容器回收的橙色块状物用研钵轻轻压碎，使其全部通过网眼150μm的筛子，得到粉末。

然后，在水中使用球径φ5尺寸的氮化硅球进行4小时压碎，并过滤，在120℃干燥5小时，使其通过150μm的筛子，得到荧光体粉末。

使用所得到的荧光体粉末作为α塞隆型荧光体A。

(比较例2)

在保持为水量为1质量ppm以下、氧量为1质量ppm以下的氮气氛的手套箱中混合α型氮化硅粉末(Si3N4，SN－E10等级，宇部兴产株式会社制)56.56g、氮化钙粉末(Ca3N2，Materion株式会社制)12.02g、氮化铝粉末(AlN，E等级，Tokuyama Corporation制)20.41g、氧化铕粉末(Eu2O3，RU等级，信越化学工业株式会社制)1.00g、比较例1的荧光体粉末10.00g，得到原料混合粉末，除此之外，与比较例1同样地得到荧光体粉末。

使用所得到的荧光体粉末作为α塞隆型荧光体B。

(实施例1)

对于比较例1中得到的荧光体粉末，按照下述的条件，依次进行球磨和倾析，得到荧光体粉末。

使用所得到的荧光体粉末作为α塞隆型荧光体C。

·球磨

将离子交换水0.8L和比较例1中得到的荧光体粉末(样品)50g放入锅容量2L的氧化铝锅。

在氮化硅球φ5mm、球量1000g、转速约150rpm的条件下，对该包含样品的氧化铝锅进行8小时球磨粉碎。

接着，进行过滤，在120℃下干燥5小时，进行保管。

·倾析

使经球磨处理的样品分散于0.05wt％六偏磷酸Na水溶液，静置2小时，去除距离水面4cm的深度的上清液，由此进行微粉的去除。去除后进行过滤，在120℃下干燥5小时，使其通过150μm的筛子，得到荧光体粉末。

(实施例2)

使用所得到的荧光体粉末作为α塞隆型荧光体D。

(实施例3)

将煅烧温度变更为1900℃，除此之外，与实施例1同样地得到荧光体粉末。

使用所得到的荧光体粉末作为α塞隆型荧光体E。

对于实施例1～3、比较例1、2中得到的荧光体粉末，通过使用了CuKα射线的粉末X射线衍射测定(XRD测定)调查了晶相，结果确认了晶相均为包含Eu和Ca的α型塞隆。另外，α塞隆型荧光体A～E均满足上述通式(1)。

[表1]

对于得到的α塞隆型荧光体A～E，对以下评价项目进行评价。将评价结果示于表1。

(粒度分布)

通过作为激光衍射·散射法的粒径测定装置的Microtrac MT3300EXII(Microtrac·Bel株式会社)测定α塞隆型荧光体的粒径分布。作为测定步骤，在混合有0.05wt％六偏磷酸钠的离子交换水的水溶液100ml中投入测定的荧光体0.5g，用超声波均化器、Ultrasonic Homogenizer US－150E(株式会社日本精机制作所，Amplitude100％，振荡频率19.5±1kHz，芯片尺寸20φ，振幅约31μm)，将芯片配置于溶液的中央部进行3分钟分散处理后，用上述MT3300EXII进行粒度测定。将测定结果示于表1。

表1中，在利用激光衍射散射法测定的α型塞隆荧光体的体积频度粒度分布中，将累积值为5％的粒径(μm)设为D5，将累积值为50％的粒径(μm)设为D50，将累积值为90％的粒径(μm)设为D90，将累积值为98％的粒径(μm)设为D98。

＜455nm内量子效率、外量子效率、荧光强度、光吸收率＞

α型塞隆荧光体的455nm内量子效率、外量子效率、荧光强度、光吸收率按照以下步骤算出。

使用α型塞隆荧光体作为试样，以表面成为平滑的方式将该试样填充于凹型比色皿。将该凹型比色皿安装于积分球的开口部。使用光纤将从发光光源(Xe灯)分光成455nm波长的单色光导入到该积分球内作为荧光体的激发光。将该单色光照射于荧光体试样，使用分光光度计(大塚电子株式会社制MCPD－7000)对试样的荧光光谱进行测定。

由得到的光谱数据算出激发反射光光子数(Qref)和荧光光子数(Qem)。激发反射光光子数是与激发光光子数相同的波长范围算出的，荧光光子数在465～800nm的范围算出。

另外，使用相同的装置，代替凹型比色皿，在积分球的开口部安装反射率为99％的标准反射板(Labsphere公司制Spectralon(注册商标))，测定波长455nm的激发光的光谱。此时，由450～465nm的波长范围的光谱算出激发光光子数(Qex)。

α型塞隆的455nm光吸收率、内量子效率由以下所示的计算式求出。

455nm光吸收率(％)＝((Qex－Qref)/Qex)×100

内量子效率(％)＝(Qem/(Qex－Qref))×100

应予说明，外量子效率由以下所示的计算式求出。

外量子效率(％)＝(Qem/Qex)×100

因此，通过上述式，外量子效率成为以下所示的关系。

外量子效率＝455nm光吸收率×内量子效率

应予说明，在通过上述测定方法来测定β型塞隆荧光体的标准试样(NIMS Standard Green lot No.NSG1301，Sialon Co.,Ltd.制)的情况下，外量子效率为55.6％、光吸收率为74.4％、内量子效率为74.8％。如果测定装置的制造商、制造批次号等变化，则量子效率和光吸收率的值有时变动，因此在测定装置的制造商、制造批次号等变更的情况下，以β型塞隆荧光体的标准试样为基准值进行测定数据的修正。

＜700nm光吸收率＞

将激发光的波长从455nm变更成700nm，激发光光子数(Qex)、激发反射光光子数(Qref)由695～710nm的波长范围的光谱算出，除此之外，与＜455nm光吸收率＞的测定步骤同样地操作，基于下述式算出700nm光吸收率。

700nm光吸收率(％)＝((Qex(700nm)－Qref(700nm))/Qex(700nm))×100

＜800nm扩散反射率＞

α型塞隆荧光体的扩散反射率在日本分光株式会社制紫外可见分光光度计(V－550)上安装积分球装置(ISV－469)进行测定。用标准反射板(Spectralon(注册商标))进行基线修正，安装填充有α型塞隆荧光体(荧光体粉末)的固体试样支架，在500～850nm的波长范围测定扩散反射率。本发明所说的800nm扩散反射率(％)是指特别是800nm处的扩散反射率的值。

应予说明，在通过上述测定方法来测定β型塞隆荧光体的标准试样(NIMS Standard Green lot No.NSG1301，Sialon Co.,Ltd.制)的情况下，800nm扩散反射率为95.7％。如果测定装置的制造商、制造批次号等变化，则800nm扩散反射率的值有时变动，因此在测定装置的制造商、制造批次号等变更的情况下，以β型塞隆荧光体的标准试样为基准值进行测定数据的修正。

＜色度x、y＞

色度x、y为CIE1931的值，通过分光光度计(大塚电子株式会社制MCPD－7000)来测定。与上述同样地照射波长455nm的单色光，在465～800nm的范围测定激发反射光光谱，算出色度x、y。

应予说明，通过上述测定方法来测定β型塞隆荧光体的标准试样(NIMS Standard Green lot No.NSG1301，Sialon Co.,Ltd.制)的情况下，色度x为0.356。如果测定装置的制造商、制造批次号等变更，则色度x的值有时变动，因此在测定装置的制造商、制造批次号等变更的情况下，以β型塞隆荧光体的标准试样为基准值进行测定数据的修正。

＜峰值波长、半峰宽＞

峰值波长、半峰宽通过分光光度计(大塚电子株式会社制MCPD－7000)来测定。与上述同样地照射波长455nm的单色光，在465～800nm的范围测定激发反射光光谱，算出荧光的峰值波长(nm)、半峰宽。半峰宽表示成为峰值波长强度一半的强度的光谱的宽度(nm)。

应予说明，通过上述测定方法来测定β型塞隆荧光体的标准试样(NIMS Standard Green lot No.NSG1301，Sialon Co.,Ltd.制)的情况下，峰值波长为543.3nm，半峰宽为53.3nm。如果测定装置的制造商、制造批次号等变更，则峰值波长、半峰宽的值有时变动，因此在测定装置的制造商、制造批次号等变更的情况下，以β型塞隆荧光体的标准试样为基准值进行测定数据的修正。

可知与比较例1、2相比，实施例1～3的α型塞隆荧光体的外量子效率优异，进而荧光强度、455nm的光吸收率优异。因此，通过使用实施例1～3的α型塞隆荧光体，可以实现亮度优异的发光装置。

本申请基于2019年5月23日申请的日本申请特愿2019－097116号而主张优先权，将其公开的全部内容援引于此。

符号说明

1 荧光体粒子

30 密封材料

40 复合体

100 发光装置

120 发光元件

130 散热器

140 壳体

150 第一引线框

160 第二引线框

170 接合线

172 接合线