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ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法与流程

时间:2022-02-24 阅读: 作者:专利查询

ZnBr2诱导不发光Cs4PbBr6量子点相变为绿光CsPbBr3量子点的方法与流程
znbr2诱导不发光cs4pbbr6量子点相变为绿光cspbbr3量子点的方法
技术领域
1.本发明属于化学领域,尤其涉及znbr2诱导不发光cs4pbbr6量子点相变为绿光cspbbr3量子点的方法。


背景技术:

2.全无机卤化铅钙钛矿由于其优异的光电特性,近年来已成为高效光电和光伏器件的热门研究课题。其中零维钙钛矿cs4pbbr6因其高光致发光量子产率(plqy)和长期稳定性而受到了极大的关注。
3.目前有许多研究致力于将不发光的cs4pbbr6转化为发光的cspbbr3,主要采用加入过量pbbr2,配体辅助和水诱导等方法。然而,大部分的方法通常存在一些问题,一是转化后的cspbbr3的plqy较低,二是会在转化过程中额外引入有毒的pb
2+
离子,这会对环境产生的不利影响,大大阻碍了它们的实际应用。另一方面,关于cs4pbbr6的应用的研究仍然滞后,特别是它们在电致发光led中的应用。
4.为避免上述技术问题,确有必要提供一种znbr2诱导不发光cs4pbbr6量子点相变为绿光cspbbr3量子点的方法以克服现有技术中的所述缺陷。


技术实现要素:

5.本发明的目的在于提供一种znbr2诱导不发光cs4pbbr6量子点相变为绿光cspbbr3量子点的方法,旨在解决传统的将不发光的零维cs4pbbr6钙钛矿量子点转化为发光的三维cspbbr3钙钛矿量子点的方法通常存在转化后的cspbbr3钙钛矿量子点plqy较低,额外引入有毒的pb
2+
离子等问题。
6.本发明是这样实现的,znbr2诱导不发光cs4pbbr6量子点相变为绿光cspbbr3量子点的方法,包括以下步骤:
7.1)首先,把十八烯、油酸以及碳酸铯放在三颈瓶中,在真空环境下,加热脱气干燥,然后惰性气体氛围下升温,加热搅拌至溶液溶解,得到油酸铯溶液;
8.2)其次,将溴化铅、溴化锌、油酸以及油胺倒入到装有十八烯的三颈瓶中,在真空环境下,加热脱气干燥,然后惰性气体氛围下升温,并迅速注入油酸铯溶液,反应几秒钟后将溶液水浴冷却到室温;
9.3)最后,将上一步中的反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点;
10.4)制备基于zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点的电致发光led
11.先后用肥皂、去离子水、乙醇、氯仿、丙酮以及异丙醇仔细清洗ito导电玻璃,并进行紫外臭氧处理;
12.在处理后的ito玻璃上将pedot:pss溶液(baytron pvp al 4083)通过滤头进行旋
涂,之后进行退火处理;然后将底物转移到充满n2气体的手套箱中,在pedot:pss薄膜上旋涂溶解在氯苯溶液中的ptaa,之后再进行退火处理,最后形成pedot:pss/ptaa层,将pedot:pss/ptaa层作为空穴注入层和空穴传输层;
13.将步骤3)中制备好的zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点旋涂在pedot:pss/ptaa层上,作为发光层;
14.5)将步骤4)中获得的产物最后转移到真空腔内,通过热蒸发依次沉积tpbi、lif和al层,其中tpbi层作为电子传输层和空穴阻挡层,lif和al层作为顶部电极;由此获得基于zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点电致发光led。
15.进一步的技术方案,在步骤1)中,所述油酸与十八烯的体积比为1:12。
16.进一步的技术方案,在步骤1)和步骤2)中,通入的惰性气体为氮气。
17.进一步的技术方案,在步骤2)中,十八烯、油酸和油胺的体积比为10:1:1,溴化锌与溴化铅的摩尔比为0~0.75:1。
18.进一步的技术方案,在步骤3)中,所述离心转速为5000~10000r/min。
19.进一步的技术方案,在步骤4)中,所述pedot:pss的转速为以4000r/min,ptaa的转速为以2000r/min,量子点的转速为以1000r/min。
20.进一步的技术方案,在步骤4)中,所述pedot:pss的退火处理具体为在140℃的温度下退火15分钟,ptaa的退火处理具体为在120℃的温度下退火15分钟。
21.相较于现有技术,本发明的有益效果如下:
22.本发明提供的znbr2诱导不发光cs4pbbr6量子点相变为绿光cspbbr3量子点的方法,此方法操作简单,耗时少,耗能低;
23.本发明方法所制备的zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点的样品形貌尺寸均一,半峰宽窄,发光色纯度高,量子效率高,导电性高;
24.本发明利用zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点作为发光层制备的电致发光led具有高色纯度,实现了9.8cd/a的最大电流效率和3.2%的峰值外量子效率,这是报道的基于cspbbr3/cs4pbbr6的电致发光led中的最佳性能。
附图说明
25.图1为加入不同znbr2含量的cs4pbbr6钙钛矿量子点的吸收光谱和光致发光光谱;
26.图2为加入不同znbr2含量的cs4pbbr6钙钛矿量子点的xrd图谱;
27.图3为加入不同znbr2含量的cs4pbbr6钙钛矿量子点的透射电镜图像(a

d)以及高分辨透射电子显微镜图像(e

i);
28.图4为加入不同znbr2含量的cs4pbbr6钙钛矿量子点的时间分辨光致发光光谱图;
29.图5为加入不同znbr2含量的cs4pbbr6钙钛矿量子点制备的薄膜的电流

电压曲线;
30.图6为基于zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点的电致发光led的结构图;
31.图7为基于zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点的电致发光led的光致发光光谱和电致发光光谱;
32.图8为基于zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点的电致发光led的亮度

电压

电流密度曲线;
33.图9为基于zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点的电致发光led的电流效率

电流密度

外量子效率曲线。
具体实施方式
34.为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
35.以下结合具体实施例对本发明的具体实现进行详细描述。
36.实施例1
37.1)首先将0.814g的碳酸铯,2.5ml油酸和30ml十八烯装入100ml的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,然后混合溶液在氮气氛围下,加热至150℃,搅拌直到形成澄清的溶液。
38.2)其次将0.0042g溴化锌、0.028g的溴化铅(溴化锌和溴化铅的摩尔比为0.25:1)、1ml油胺、1ml油酸以及10ml十八烯装入到50ml的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,,随后在氮气氛围下,将溶液升温到180℃后,注入0.8ml前驱体溶液,反应5s后迅速将溶液水浴冷却到室温;
39.3)最后将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点;
40.4)制备基于zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点的电致发光led
41.先后用肥皂、去离子水、乙醇、氯仿、丙酮以及异丙醇仔细清洗ito导电玻璃,并进行紫外臭氧处理;
42.在处理后的ito玻璃上将pedot:pss溶液(baytron pvp al 4083)通过滤头以4000r/min的转速旋涂50秒,之后在140℃的温度下退火15分钟;然后将底物转移到充满n2气体的手套箱中,在pedot:pss薄膜上将溶解在氯苯溶液中的ptaa以2000r/min的转速旋涂50秒,之后再继续在120℃的温度下退火15分钟,最后形成pedot:pss/ptaa层,将pedot:pss/ptaa层作为空穴注入层和空穴传输层;
43.将步骤3)中制备好的zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点以1000r/min的转速旋涂在pedot:pss/ptaa层上,作为发光层;
44.5)将步骤4)中获得的产物最后转移到真空度为1
×
10
‑4torr的真空腔内,通过热蒸发依次沉积tpbi、lif和al层,其中tpbi层作为电子传输层和空穴阻挡层,lif和al层作为顶部电极;由此获得基于zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点电致发光led。
45.实施例2
46.首先将0.814g的碳酸铯,2.5ml油酸和30ml十八烯装入100ml的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,然后混合溶液在氮气氛围下,加热至150℃,搅拌直到形成澄清的溶液。
47.其次将0.0085g溴化锌、0.028g的溴化铅(溴化锌和溴化铅的摩尔比为0.50:1)、1ml油胺、1ml油酸以及10ml十八烯装入到50ml的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,随后在氮气氛围下,将溶液升温到180℃后,注入0.8ml前驱体溶液,反应5s后,迅速将溶液水浴冷却到室温;
48.最后将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点;
49.其余步骤与实施例1相同。
50.实施例3
51.首先将0.814g的碳酸铯,2.5ml油酸和30ml十八烯装入100ml的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,然后混合溶液在氮气氛围下,加热至150℃,搅拌直到形成澄清的溶液。
52.其次将0.0126g溴化锌、0.028g的溴化铅(溴化锌和溴化铅的摩尔比为0.75:1)、1ml油胺、1ml油酸以及10ml十八烯装入到50ml的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,随后在氮气氛围下,将溶液升温到180℃后,注入0.8ml前驱体溶液,反应5s后,迅速将溶液水浴冷却到室温;
53.最后将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点;
54.其余步骤与实施例1相同。
55.实施例4
56.首先将0.814g的碳酸铯,2.5ml油酸和30ml十八烯装入100ml的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下脱气干燥1h,然后混合溶液在氮气氛围下,加热至150℃,搅拌直到形成澄清的溶液。
57.其次将0.028g的溴化铅、1ml油胺、1ml油酸以及10ml十八烯装入到50ml的三颈烧瓶中,先在真空、120℃下抽气干燥1h,随后在氮气氛围下,将溶液升温到180℃后,注入0.8ml前驱体溶液,反应5s后,迅速将溶液水浴冷却到室温;
58.最后将反应产物离心提纯,将离心后的沉淀分散到正己烷和乙酸乙酯的混合溶剂中,然后继续离心提纯,最后将离心后的沉淀分散到正己烷溶剂中,即得到cs4pbbr6钙钛矿量子点;
59.其余步骤与实施例1相同。
60.在实施例1、2、3、4,中调节溴化锌的添加量,如图1,2,3所示,引入多量的溴化锌可以促进零维钙钛矿量子点向三维钙钛矿的转变,随着溴化锌加入量的增加,出现了对应于cspbbr3的吸收峰、光致发光峰、xrd衍射峰以及立方相的形貌,说明了cspbbr3的形成,并且xrd峰位向大角度发生偏移,与高倍电镜结果显示的晶格收缩结果一致,说明了zn
2+
的成功掺杂;如图4所示,随着溴化锌加入量的增加,量子点的辐射复合速率增大,非辐射复合速率减小,说明量子点的缺陷被钝化,量子产率提高,并在溴化锌与溴化铅的摩尔比例为0.75:1时实现最大量子效率77.5%。此外,如图5所示,随着溴化锌加入量的增加,量子点制备的薄膜的导电性也得到了提高;进一步地,如图6以及图7所示,利用zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点作为发光层制备的电致发光led,保持了良好的色纯度;如图8所示,开启电压为3.8v,并在7.5v达到最大亮度4054cd m
‑2,同时如图9所示,实现了9.8cd/a的最大电流效率和3.2%的峰值外量子效率,这是报道的基于cspbbr3/cs4pbbr6的电致发光led中的最佳性能。
61.本发明提供了一种从不发光的零维cs4pbbr6钙钛矿量子点到绿色荧光的zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点的转化方法,利用传统的热注入法,在溴化铅,油酸,油胺和十八烯溶剂的前体溶液中加入溴化锌,溴化锌通过插入反应改变反应产物中的原子比例,促进cspbbr3的形成。其中zn
2+
和pb
2+
由于相似的离子半径共同占据钙钛矿结构中的b位,过量的br

离子不仅能促进相转换过程,还能钝化量子点的缺陷,实现了高达77.5%的plqy。此外,利用ito玻璃作为底部电极;聚(3,4

乙烯二氧噻吩)

聚苯乙烯磺酸(pedot:pss)/聚[双(4

苯基)(2,4,6

三甲基苯基)胺(ptaa)]作为空穴注入层和空穴传输层;zn掺杂的cspbbr3/cs4pbbr6钙钛矿量子点作为发光层;1,3,5

三(1

苯基

1h

苯并咪唑
‑2‑
基)苯(tpbi)层作为电子传输层和空穴阻挡层;lif和al层作为顶部电极制备的电致发光led展现出高器件性能。
[0062]
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已,并不用以限制本发明,凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等,均应包含在本发明的保护范围之内。
[0063]
此外,应当理解,虽然本说明书按照实施方式加以描述,但并非每个实施方式仅包含一个独立的技术方案,说明书的这种叙述方式仅仅是为清楚起见,本领域技术人员应当将说明书作为一个整体,各实施例中的技术方案也可以经适当组合,形成本领域技术人员可以理解的其他实施方式。