本发明提供一种半导体器件的制造方法，方法包括：提供底部晶圆和顶部晶圆；对底部晶圆和顶部晶圆实施键合工艺，形成晶圆键合结构；对晶圆键合结构实施第一边缘修剪工艺、第二边缘修剪工艺和第三边缘修剪工艺，以使顶部晶圆的边缘呈台阶状；以及对顶部晶圆的顶表面实施研磨工艺。
本发明所提供的半导体器件的制造方法，在晶圆的键合步骤之后进行多次边缘修剪工艺，使得每次切割的量减小，对晶圆的损伤减小，并使得处于后面的边缘修剪工艺能够消除掉部分处于前面的边缘修剪工艺所造成的损伤，进一步降低了边缘修剪工艺对晶圆的损伤，晶圆破片的概率大大降低，从而提高了晶圆的成品率，并且提高了整个晶圆的质量，提高了产品的性能。

王伟

中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司

201203 上海市浦东新区张江路18号

本发明提供一种半导体器件的制造方法，方法包括：提供底部晶圆和顶部晶圆；对底部晶圆和顶部晶圆实施键合工艺，形成晶圆键合结构；对晶圆键合结构实施第一边缘修剪工艺、第二边缘修剪工艺和第三边缘修剪工艺，以使顶部晶圆的边缘呈台阶状；以及对顶部晶圆的顶表面实施研磨工艺。
本发明所提供的半导体器件的制造方法，在晶圆的键合步骤之后进行多次边缘修剪工艺，使得每次切割的量减小，对晶圆的损伤减小，并使得处于后面的边缘修剪工艺能够消除掉部分处于前面的边缘修剪工艺所造成的损伤，进一步降低了边缘修剪工艺对晶圆的损伤，晶圆破片的概率大大降低，从而提高了晶圆的成品率，并且提高了整个晶圆的质量，提高了产品的性能。