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专利摘要

一种微机电系统装置及其制造方法,制造微机电系统装置的方法包括在基底层上形成压电薄膜及金属薄膜的堆叠,其中压电薄膜及金属薄膜交替配置。
方法亦包括在压电薄膜及金属薄膜的堆叠中形成第一沟槽。
方法进一步包括在第一沟槽的侧壁形成至少一个孔隙。
此外,方法包括在至少一个孔隙中形成间隔结构。
方法进一步包括在间隔结构的形成之后,在第一沟槽中形成接触件。

专利状态

基础信息

专利号
CN202010589548.X
申请日
2020-06-24
公开日
2020-12-29
公开号
CN112141998A
主分类号
/B/B81/ 作业;运输
标准类别
微观结构技术
批准发布部门
国家知识产权局
专利状态
审查中-实审

发明人

陈亭蓉

申请人

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址

中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号

专利摘要

一种微机电系统装置及其制造方法,制造微机电系统装置的方法包括在基底层上形成压电薄膜及金属薄膜的堆叠,其中压电薄膜及金属薄膜交替配置。
方法亦包括在压电薄膜及金属薄膜的堆叠中形成第一沟槽。
方法进一步包括在第一沟槽的侧壁形成至少一个孔隙。
此外,方法包括在至少一个孔隙中形成间隔结构。
方法进一步包括在间隔结构的形成之后,在第一沟槽中形成接触件。

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